Gallium Nitride delivers size， weight and CO2-reduction benefits to Dell users

　　氮化镓材料使戴尔用户拥有更轻、更小的充电，同时减少排放二氧化碳

　　加利福尼亚州埃尔塞贡多 – 2021 年 12 月 17 日 — 氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）宣布，戴尔已采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片为其 Latitude 9000 系列高端笔记本电脑实现快充。

　　氮化镓 （GaN） 是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅快 20 倍，实现了 3 倍功率的提升以及节省了 40% 的能耗，但尺寸和重量减半。 纳微的 GaNFast™ 功率 IC 集成了氮化镓功率器件、驱动器以及保护控制电路，以提供简单、小巧、快速的产品和高效的性能。 纳微拥有 130 多项已申请或正在申请的专利，包括专有工艺设计套件 （PDK） 在内的重要IP，其在下一代氮化镓功率 IC 领域处于多年领先地位。

　　戴尔全新的 60W氮化镓快充是除传统硅适配器之外，笔记本“内置”的可供升级的适配器选项，现已发货。这款适配器的尺寸仅为 66 x 55 x 22 毫米（94 cc），重量仅为 175 克，比上一代硅充电器小 50%，轻 25%。

　　氮化镓功率芯片的二氧化碳足迹比传统硅芯片低 4 到 10 倍。纳微估计，GaNFast 氮化镓功率 IC 使戴尔能够将其适配器的二氧化碳总排放（包括制造、运输和使用过程中产生的）减少近 30%。

　　纳微半导体首席执行官兼联合创始人 Gene Sheridan 表示：“戴尔的消费者欣赏技术创新、性能和质量优异的领先技术，同时他们也欣赏 GaNFast 氮化镓技术为地球带来的显著益处。事实上，每一枚交付的 GaNFast 功率芯片都能够减少 4 公斤的二氧化碳排放量。”

　　在高速有源钳位反激 （ACF） 拓扑架构下，戴尔适配器中采用了两个 GaNFast 功率芯片（NV6115、NV6117），同时使用先进的平面变压器，从而诞生了这颗厚度仅仅22 毫米的纤薄的适配器。