安世半导体硅锗 （SiGe） 整流器效率高、热稳定性好，且外型精巧，是工程师进行新品设计的不二之选。

　　中国上海，2021年10月11日 – 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布供应安世半导体的SiGe整流器，可为工程师的新品设计实现更高的效率和热稳定性，并节省空间。这些SiGe整流器兼具肖特基二极管整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性，提供反向电压为120 V、150 V和200 V的三种型号选择。

　　该系列1-3A SiGe整流器在高环境温度应用中优势突出，例如LED照明、发动机控制单元或燃料喷射系统，非常适合汽车、通信基础设施和服务器市场应用。这类新型极低泄漏器件可为设计工程师提供扩展的安全工作区域，175°C以内不会发生热失控。同时，工程师还可以使用常用于高温设计的快速恢复二极管，以优化设计来实现更高效率。此外，SiGe整流器具备更低的低正向电压（Vf）和低反向恢复电荷（Qrr），进一步将传导损耗降低10%至20%。

　　安世半导体的SiGe整流器主要特性包括：

　　出色的效率

　　－ 反向电流（IR）低于肖特基二极管，且正向电压（VF）低于快速恢复整流器，减少了功率损耗

　　－ 可快速平滑切换，热稳定性高达175°C Tj，具备小于1nA的极低漏电流及低正向电压和低Qrr

　　扩展的安全工作区域

　　－ 确保高温下安全工作

　　－ 可在******反向电压下稳定运行

　　先进的夹片粘合FlatPower（CFP）封装

　　－ SiGe整流器系列采用行业标准CFP3和CFP5封装，坚固耐用，降低了封装电阻并提升了电气性能

　　－ 配有实心铜夹片，提高了热性能并降低了功耗

　　－ 可与肖特基二极管和快速恢复整流器轻松更换引脚

　　－ 更低封装电感、更优开关性能及更低寄生电容

　　安世半导体的创新SiGe技术能够为工程师提供更多选择以开发出*********的电源电路，并打造市场领先的创新产品。SiGe是对安世半导体功率二极管系列的完美补充，该系列产品包括100多个采用CFP封装的肖特基二极管和快速恢复整流器。e络盟现备有安世半导体的12款SiGe整流器系列产品。所有整流器产品均符合AEC-Q101标准，并提供120 V、150 V和200 V的反向重复峰值电压（Vrrm）及1、2或3 A的正向电流IF（AV）。

　　Farnell及e络盟全球半导体和单板机业务部总监 Lee Turner表示：“安世半导体是大批量生产半导体基础元件的专业制造商。我们非常高兴能够进一步扩大我们的SiGe整流器现货库存。众所周知，设计人员始终面临着重重压力，他们需要在提高性能的前提下尽量节省空间，以确保为新应用实现最高系统效率及最小尺寸。为此，我们持续为客户提供市场领先的解决方案，以便为他们提供最高效率、简易热设计及较小外形尺寸，进而助力他们在汽车、服务器和通信市场的关键应用开发。”

　　安世半导体产品丰富，包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件和氮化镓场效应晶体管（GaN FET）以及模拟和逻辑IC。安世半导体总部位于荷兰，每年出货量超过900亿件，所有产品均符合汽车行业严苛标准。其产品质量上乘，在效率、工艺、尺寸、功率和性能方面已被公认为行业标杆，同时拥有业界领先的小型封装，可有效节省功耗及空间。

　　e络盟现全面储备半导体产品现货库存，以便为设计工程师提供支持。e络盟还为客户提供免费在线资源、数据表、应用说明、视频和网络研讨会等内容，以及每周5天、每天8小时的技术支持服务。

　　客户现可通过Farnell（欧洲、中东和非洲地区）、e络盟（亚太地区）以及Newark（北美地区）购买安世半导体的SiGe整流器产品。