2020年9月29日,德国慕尼黑讯】继推出采用EconoDUAL™3和Easy封装的TRENCHSTOP IGBT7技术之后,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日又推出业界领先的、基于分立式封装,即采用电压为650 V的TO-247封装的TRENCHSTOP IGBT7技术。全新TRENCHSTOP产品系列由20 A、30 A、40 A、50 A和75 A这些电流等级组成。它既能用于取代前代技术,也能与前代技术并行使用。该版本的IGBT7尤其适用于工业电机驱动、功率因数校正、光伏发电和不间断电源等应用。
由于采用新型微沟槽技术,TRENCHSTOP IGBT7芯片的静态损耗大大降低。在相同的电流等级下,TRENCHSTOP IGBT7芯片的通态电压可以降低10%。这使得应用中的损耗大幅降低,尤其能使通常在中等开关频率下运行的工业驱动的损耗大大降低。IGBT T7技术的饱和电压(V CE(sat))很低,并带有发射极控制的第七代(EC7)二极管,该二极管的正向压降(V F)可减小150 mV,同时还能提高反向恢复软度。
TRENCHSTOP IGBT7器件具有优异的可控性和卓越的抗电磁干扰性能。它很容易通过调整来达到特定于应用的******dv/dt和开关损耗。650V TRENCHSTOP IGBT7拥有应用所需的抗短路能力。此外,它还通过了基于JEDEC标准的HV-H3TRB(高压高湿高温反偏)试验,证明该器件在常见的工业应用的高湿环境中具有良好的耐用性。
供货情况
650 V TRENCHSTOP IGBT7分立式器件现已接受订购。
SI3457CD品牌:Vishay/威世年份:2022产地:中国SI3457CD标签验标回复遴选:1、邓润华:标签无异常,可以2、···
GRM31CR61C476ME44L品牌:Murata/村田年份:2021产地:日本GRM31CR61C476ME44L标签验标回复遴选:1、邓润华···
BMI270品牌:Bosch Sensortec/博世传感年份:2024产地:菲律宾BMI270标签验标回复遴选:1、邓润华:博世标签···
STM32G031K8U6品牌:STMicroelectronics/意法半导体年份:2024STM32G031K8U6标签验标回复遴选:1、邓润华:···
DG9431DV-T1-E3品牌:Vishay/威世年份:2005产地:中国DG9431DV-T1-E3标签验标回复遴选:1、邓润华:标签无···
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CW2217BAAD品牌:CEllWISE/赛微年份:2024CW2217BAAD标签验标回复遴选:1、邓润华:可以2、方洪涛:看好3、···
FODM3063R2年份:2021产地:中国FODM3063R2标签验标回复遴选:1、方洪涛:看标没事2、黄德华:仙童的,整体···
1050281001品牌:Molex/莫仕年份:2022产地:中国1050281001标签验标回复遴选:1、邓润华:工厂标签,可以2···
TPS63060DSCR品牌:Texas Instruments/德州仪器年份:2021产地:马来西亚TPS63060DSCR标签验标回复遴选:1、···
MAX20402AFLE/VY+T品牌:Analog Devices/亚德诺年份:2023产地:中国台湾MAX20402AFLE/VY+T标签验标回复遴选···
TB67H45FNG品牌:Toshiba/东芝年份:2022TB67H45FNG标签验标回复遴选:1、方洪涛:看货为主,标重打,但不是···
HPG12P14SRT153T品牌:Amphenol Advanced Sensors年份:2020产地:中国HPG12P14SRT153T标签验标回复遴选:1···
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MIMX8MM6DVTLZAA品牌:NXP Semiconductors/恩智浦年份:2023MIMX8MM6DVTLZAA标签验标回复遴选:1、供应商判···
A1393SEHLT-T品牌:Allegro/急速微年份:2024产地:中国A1393SEHLT-T标签验标回复遴选:1、黄德华:可以2、···
B82793C0475N265品牌:TDK EPCOS年份:2023产地:中国B82793C0475N265标签验标回复遴选:1、方洪涛:看可以···