安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品,籍此扩展市场领先的低RDS(on) MO,同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷.

　　奈梅亨，2020年2月19日：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS（on）的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS（on）的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响******漏极电流（ID（max））、安全工作区（SOA）或栅极电荷QG等其他重要参数。

　　很多应用均需要超低RDS（on）器件，例如ORing、热插拔、同步整流、电机控制与电池保护等，以便降低I²R损耗并提高效率。然而，某些具有类似Rdson值的同类器件，由于单元间距缩小，其SOA能力（衡量MOSFET安全工作区指标）及Idmax额定电流需要降额。安世半导体的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高达380A的******额定电流。该参数对电机控制应用尤为重要，因为电机堵转或失速的瞬间可能在短时间内会导致很大的浪涌电流，而MOSFET必须承受此浪涌才能确保安全可靠的运行。一些竞争对手仅提供计算出的ID（max），但安世半导体产品实测持续电流能力高达380A。

　　该器件采用安世半导体LFPAK56封装兼容5×6mm Power-SO8封装，提供高性能铜夹结构，可吸收热应力，从而提高质量和寿命可靠性。

　　安世半导体的功率MOSFET产品经理Steven Waterhouse表示：“借助我们最新的NextPowerS3 MOSFET，意味着电源工程师现在比以前拥有更多的选择来打造市场领先的产品——电池可以持续更长时间，电机可以提供更大扭矩，服务器可以更加可靠。”

　　典型应用包括：电池保护；直流无刷（BLDC）电机（全桥，三相拓扑）；ORing服务器电源、热插拔和同步整流。